■產(chǎn)品名稱：IRFM120A
■功能名稱：高級(jí)功率MOSFET
■概要：
是基于先進(jìn)的平面條紋和DMOS技術(shù)的高壓MOSFET系列。這種先進(jìn)的MOSFET系列具有平面MOSFET中最小的導(dǎo)通電阻，還提供了優(yōu)異的開關(guān)性能和更高的雪崩能量強(qiáng)度。此外，內(nèi)部柵極源ESD二極管允許UniFET II MOSFET承受超過(guò)2kV HBM的浪涌應(yīng)力。該器件系列適用于功率因數(shù)校正（PFC）、平板顯示（FPD）TV電源、ATX和電子燈鎮(zhèn)流器等開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。
■特征：
●加固?hào)艠O氧化物技術(shù)
●更低的輸入電容
●改進(jìn)的柵極電荷
●擴(kuò)展的安全工作區(qū)域
●更低的泄漏電流：10μA（最大值）@V-DS=100V
●更低R-DS（ON）：0.155Ω（典型值）
