P 溝道 MOSFET 采用空穴流作為載流子，其遷移率小于 N 溝道 MOSFET 中的電子流。就功能而言，二者的主要區(qū)別在于 P 溝道 MOSFET 需要從柵極到源極的負(fù)電壓 (VGS) 才能導(dǎo)通，而 N 溝道 MOSFET 則需要正 VGS 電壓。這使得 P 溝道 MOSFET 成為高邊開關(guān)的理想之選。器件設(shè)計(jì)簡潔，有利于在有限空間內(nèi)打造低壓驅(qū)動應(yīng)用和非隔離 POL 產(chǎn)品。P 溝道 MOSFET 特性的一大優(yōu)勢在于可簡化柵極驅(qū)動技術(shù)，這通?？山档驼w成本。
