■產(chǎn)品名稱：FDP5N60NZ
■功能名稱：N溝道功率MOSFET
■概要：
是基于先進的平面條紋和DMOS技術的高壓MOSFET系列。這種先進的MOSFET系列具有平面MOSFET中最小的導通電阻，還提供了優(yōu)異的開關性能和更高的雪崩能量強度。此外，內(nèi)部柵極源ESD二極管允許UniFET II MOSFET承受超過2kV HBM的浪涌應力。該器件系列適用于功率因數(shù)校正（PFC）、平板顯示（FPD）TV電源、ATX和電子燈鎮(zhèn)流器等開關電源轉(zhuǎn)換器應用。
■特征：
●RDS（開）=1.65Ω（典型值）@VGS=10V，ID=2.25A
●低柵極電荷（典型10nC）
●低CRS（典型5pF）
●100%雪崩測試
●改進的dv/dt能力
●ESD改進能力
●符合RoHS
