TDA21472 功率級包含與肖特基二極管以及高側(cè)和低側(cè) MOSFET 共同封裝的低靜態(tài)電流同步降壓柵極驅(qū)動器 IC。當遵循布局指南時，該封裝針對 PCB 布局、熱傳遞、驅(qū)動器/MOSFET 控制時序和最小開關節(jié)點振鈴進行了優(yōu)化。柵極驅(qū)動器和 MOSFET 組合可在尖端 CPU、GPU 和 DDR 內(nèi)存設計所需的較低輸出電壓下實現(xiàn)更高效率。
與一流的基于控制器的電感 DCR 檢測方法相比，具有溫度補償功能的 TDA21472 內(nèi)部 MOSFET 電流檢測算法可實現(xiàn)卓越的電流檢測精度。保護包括具有可編程閾值的逐周期過流保護、VCC/VDRV UVLO 保護、相位故障檢測、IC 溫度報告和熱關斷。TDA21472 還具有自舉電容器的自動補充功能，以防止過度放電。TDA21472具有深度睡眠省電模式，可大大降低多相系統(tǒng)進入PS3/PS4模式時的功耗。
