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FQP6N40C
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■產(chǎn)品名稱：FQP6N40C
■功能名稱：功率MOSFET，N-通道，QFET®，400 V，6A，1.0 Ω，TO-220
■概要：
這種n通道增強(qiáng)模式功率MOSFET是使用ON半導(dǎo)體半導(dǎo)體的專有平面條紋和DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進(jìn)的MOSFET技術(shù)已經(jīng)特別定制，以降低狀態(tài)電阻，并提供優(yōu)越的開關(guān)性能和高雪崩能量強(qiáng)度。這些設(shè)備適用于開關(guān)模式電源、有源功率因數(shù)校正（PFC）和電子燈鎮(zhèn)流器。
■產(chǎn)品特性：
●6A、400V、RDS（開啟）=1.0Ω（最大值）@VGS = 10 V，ID = 3A
●低柵極電荷(類型。16nC)
●低精度(類型。15pF)
●100%雪崩測試
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