■產(chǎn)品名稱：LTC7891RUFDM#TRPBF
■功能名稱：100 V，低 IQ， 用于GaN FET的同步降壓控制器
■概要:
該LTC7891是一款高性能降壓型DC-DC開關穩(wěn)壓控制器，可驅(qū)動輸入電壓高達100 V的所有N溝道同步氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）功率級。該LTC7891解決了使用GaN FET時傳統(tǒng)上面臨的許多挑戰(zhàn)。與金屬氧化硅半導體場效應晶體管 （MOSFET） 解決方案相比，該LTC7891簡化了應用設計，同時不需要保護二極管和其他額外的外部元件。
內(nèi)部智能自舉開關可防止 BOOST 引腳至SW 引腳高側(cè)驅(qū)動器電源在死區(qū)期間過度充電，從而保護頂部 GaN FET 的柵極。該LTC7891在內(nèi)部優(yōu)化了兩個開關邊沿的柵極驅(qū)動器時序，以實現(xiàn)智能接近零死區(qū)時間，從而顯著提高效率，并允許高頻工作，即使在高輸入電壓下也是如此?；蛘撸脩艨梢允褂猛獠侩娮杵髡{(diào)整死區(qū)時間以獲得裕量或定制應用。
LTC7891的柵極驅(qū)動電壓可以在4 V至5.5 V范圍內(nèi)精確調(diào)節(jié)，以優(yōu)化性能，并允許使用不同的GaN FET，甚至邏輯電平MOSFET。
請注意，在本數(shù)據(jù)手冊中，多功能引腳（如PLLIN/SPREAD）要么由整個引腳名稱引用，要么由引腳的單個功能（例如PLLIN）引用，而僅與該功能相關。
■特征：
●氮化鎵驅(qū)動技術針對氮化硅場效應晶體管進行了全面優(yōu)化
●寬V型在范圍：4 V 至 100 V
●寬輸出電壓范圍：0.8V ≤ V外≤ 60 V
●無需箝位、箝位或自舉二極管
●內(nèi)部智能自舉開關可防止高側(cè)驅(qū)動器電源過度充電
●內(nèi)部優(yōu)化、智能接近零死區(qū)時間或電阻器可調(diào)死區(qū)時間
●分離式輸出柵極驅(qū)動器，可調(diào)節(jié)導通和關斷驅(qū)動器強度
●精確可調(diào)的驅(qū)動器電壓和欠壓鎖定 （UVLO）
●低工作 IQ：5 μA （48 V在至 5 V外)
●可編程頻率（100 kHz 至 3 MHz）
●可鎖相頻率（100 kHz 至 3 MHz）
●擴頻調(diào)頻
●28 引腳（4 mm × 5 mm）側(cè)面可濕 QFN 封裝
