■產(chǎn)品名稱(chēng)：FQP4N90C
■功能名稱(chēng)：存儲(chǔ)器
■概要:
此 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 是使用安森美半導(dǎo)體的平面條紋和 DMOS 專(zhuān)屬技術(shù)生產(chǎn)的。此先進(jìn) MOSFET 技術(shù)特別適用于降低導(dǎo)通電阻，提供出色的開(kāi)關(guān)性能以及高雪崩能量強(qiáng)度。此類(lèi)器件適用于開(kāi)關(guān)模式電源、有源功率因數(shù)校正 (PFC) 和電子燈鎮(zhèn)流器。
■特征：
●4A, 900V, RDS(on) = 4.2Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 2A柵極電荷低（典型值：17nC)
●低 Crss（典型值5.6pF)
●100% 經(jīng)過(guò)雪崩擊穿測(cè)試"
●100% avalanche tested
